夏普尔必达开发下一代ReRAM闪存芯片

PChome | 编辑: 孙伟 2010-10-14 06:00:00

日经新闻报道,夏普正与尔必达联手开发下一代ReRAM可变电阻式闪存芯片,预计在2013年实现量产。

早在2007年,富士通就宣布开发出了这种可变电阻式闪存芯片,它在降低功耗的同时写入速度达到目前手机所用NAND闪存芯片的10000倍。

日经新闻称,采用ReRAM芯片的设备可以在几秒钟的时间内下载一部高清电影,待机模式下功耗几乎为零。

除了夏普和尔必达外,日本产业技术综合研究所、东京大学以及其它芯片设备制造商也将加入到研发工作当中。该芯片最早将在2013年实现量产,尔必达将可能负责这一生产工作。

此外其它竞争对手同样也在积极研发新型存储芯片,东芝就在开发一种层式结构(layered structure)闪存芯片;三星除了研发ReRAM外,相变式存储芯片和磁性存储芯片的开发工作也在进行中。

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