1x、1y纳米时代带来的问题
如果我们看看现在的SSD，高端型号的读写速度已然双双突破500MB/s，而中端定位的240/256GB的SSD的价格也纷纷跌破千元。在性能暴增和价格下跌的背后功臣自然是SSD的主控制器和闪存，随着时间的推移，前者的功能越来越强大，后者的工艺制程越来越低。
闪存工艺制程的不断演进使得本来就一直遭受各种质疑的SSD的寿命问题更加凸显，在34nm时代的MLC闪存耐久的一般为5000次P/E，到了现在的20/19nm时代已经变为3000次，三星甚至开始使用TLC闪存，耐久度可能只有1000次P/E。
事实上表示闪存的耐久性能绝非仅一个数字那么简单，后面的学问更是多多。随着工艺的提高，闪存单元的尺寸越来越小，区分各电压状态之间的差值也越来越小，很容易造成在读取时因为电压状态不对产生数据错误。这个问题在现在1xnm阶段已经越发严重，到明年步入1ynm时会更加明显。
1x、1y纳米阶段，哪些问题开始凸显？
就像机械硬盘遇到磁记录技术瓶颈一样，闪存的发展也有着自己的瓶颈，工艺提高造成数据出错率的提高，这个问题是无法解决的，但好在我们可以通过各种方式减少出错，这就是SSD主控的任务，也将成为今后SSD主控十分重要的话题。
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