产量过剩 内存暴跌1G 667有望跌破150

根据集邦科技的消息，如同DRAMeXchange之前公布的预测，上周现货市场eTT颗粒的价格短期反弹至高点后，开始回跌，DDR2 512Mb eTT价格从10/22的1.17美元回到10/29 1.05美元成交，跌幅约10.2%，相较于eTT颗粒的价格变动，而品牌颗粒并未因eTT颗粒的价格波动而有所大幅度的跌价，跌幅仅有5.8%。就市场面观察，这次跌价的原因，主要是DDR2 eTT的供给大量开出，买气缩手。而本周更适逢月底做帐，买方除非有订单在手，否则不会进场买货，再加上上周所释出的DDR2 eTT颗粒尚未全数消化完毕，DDR2 eTT颗粒将会很快再回探并逼近1美元的价位。

(图) 产量过剩 内存暴跌1G 667有望跌破150

而在模块厂方面，虽然受到上周价格下跌的影响，但普遍来说出货量都还是呈现稳定的状态，整题来说欧美市场的需求仍然优于其它地区，大陆地区市场方面因为十七大的结束已有需求出现但并不十分强劲，目前数家台系模块厂仍致力于消化手上那些一再拉高水位的库存。

而在全球PC需求方面，受到整体性的需求不佳与美国次级房贷的影响，整个第四季出货量仅比往年同期成长6%，另外，DRAM厂尚未有减产的共识情形下，11月份合约价将有可能持续走低。但由于合约价在十月已下跌颇深，DRAM厂已不愿意再大幅降价。预计11月与12月合约价继续下跌幅度有限。

随着台系DRAM厂的法说会于上周陆续登场，面对这一波的价格崩盘，导致第三季获利严重衰退，如何有效的降低制造成本与减少资本支出都是DRAM厂本身所要面对的课题。DRAMeXchange统计明年DRAM厂于DRAM之资本支出将下降20%-25% YoY，12吋厂产能的扩张也减缓，主要产能扩张来自台系厂 - 南科、茂德、瑞晶。而国际大厂主要产出增加来自70nm或更先进制程的转进。韩系厂商，三星及现代虽说明年在DRAM产能没有扩张的计划，但以其制程转进能力，三星仍预期明年DRAM 供给位成长70%。整体而言，DRAMeXchange预估明年DRAM 供给位成长约50%。DRAM需求成长约40%。

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