上周现货市场呈现近几周少见的价格震荡格局，DDR2 512Mb eTT的颗粒价格虽然曾上涨至0.90美元，但价格还是从12/03的0.81美元下跌至12/10以0.79美元成交，跌幅约2.4%，而DDR2 1Gb eTT颗粒的涨幅最为犀利，价格从12/03的1.65美元上涨至12/10 以1.83美元成交，涨幅10.9%，而品牌颗粒的价格相对于eTT颗粒就相对平稳许多，DDR2 512Mb的价格从12/03的0.92美元上涨至12/10以0.95美元成交，涨幅约3.2%，DDR2 1Gb的价格从12/03的1.96美元上涨至12/10 以1.98美元成交，涨幅约1.0%，就市场面观察，目前现货市场的库存水位仍然不低与时序进入淡季的情形下，预计本周DDR2 512Mb eTT价格将持续下探。DRAMeXchange表示，以上周价格来分析，虽是市场上供货量还以512Mb的颗粒为主，但单只2GB的内存模块的需求殷切与相对于512Mb所组成1GB内存模块更具成本优势，不难看出1Gb颗粒已渐渐成为市场的主流规格，从这次的价格涨幅就隐约嗅出世代交替的意味浓厚。
而在合约市场方面，12月上旬DDR2 667 1GB内存模块约落在19美元左右，与11月下旬合约价相比跌幅约10%，与上周现货市场价格曾经一度上扬的热络情形相对冷清，主要的原因是圣诞假期的采购热潮将告一段落外，另外12月本是出货淡季与OEM厂商普遍拿货的意愿不高的双重影响下，预计12月下旬的合约价格仍会维持走低的态势。
DRAM厂商减产议题效益渐发酵
随着上周DDR2 eTT 1Gb的颗粒价格的止跌回升，DRAM厂的减产议题再度成为各界的焦点，从今年第三季的法说会开始，台系DRAM厂商已陆续宣布减少明年资本支出，近期奇梦达(Qimonda)也宣布调降欧元地区的生产比例由40%降至30%，再加上各家12吋的晶圆产能扩张趋缓与8吋晶圆厂产能不断去化，加上DRAMeXchange表示2008年的DRAM位成长率将由今年的92%降至57%，将有助于明年度DRAM价格的稳定甚至于反弹，以市场面来分析，当价格跌破变动成本后，国际大厂就有可能率先减产，以目前全球市占率将近50%的三星(Samsung)与海力士(Hynix)来说，唯有这两家甚至于更多的国际大厂做出减产的动作，明年的DRAM市场才有机会供需平衡，DRAM颗粒价格才会真正的止跌回升。
