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Intel将发布基于34纳米NAND固态硬盘

2009-06-29 Cbsi中国·PChome.net 类型: 转载 来源: 中文业界资讯站 责编: 李昌


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近来谣言越来越厉,市场盛传英特尔将于未来2周里发布基于34纳米制程NAND芯片的固态硬盘。之前有报道称英特尔Chipzilla芯片实验室将于去年Q4发布新34纳米闪存,不过时间表早已大大推后。固态硬盘出现的时间不久,其成本高,容量有限,有时候人们甚至怀疑其可靠性。如果新的34纳米制程NAND闪存推出,固态硬盘的价格将大大降低,容量也将达到320GB左右。

固态硬盘的存储单元分为MLC(Multi-Level Cell,多层单元)和SLC(Single Layer Cell,单层单元)两种。MLC的特点是容量大成本低,但相应速度也较低;SLC的特点是成本高容量小,但是速度更快。受益于先进的34纳米制程,英特尔MLC固态硬盘的容量将会获得巨大突破,有望从目前的160GB提升到320GB。SLC固态硬盘的进度相对要慢一些,预计英特尔SLC固态硬盘还得等到2010年才能达到320GB容量。



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