（CBSi中国 PCHOME 旧金山报道）英特尔信息技术峰会，美国旧金山——2009年秋季英特尔信息技术峰会（Intel Developer Forum, IDF）于9月22日至24日在美国旧金山举行。在本次会议上，英特尔展示了多项领先技术。
在9月22日的主题演讲中，英特尔公司高级副总裁兼技术与制造事业部总经理Bob Baker在主题演讲中，着重介绍了英特尔为延续摩尔定律所做出的不懈努力，以及摩尔定律对电脑用户的重要价值。他还详细说明了公司在22纳米制程技术方面取得的里程碑式成果。
英特尔公司首次展示了可工作的22纳米静态随机存取存储器（SRAM）和逻辑测试电路。这个364兆位的SRAM阵列，每一个SRAM单元只有0.092平方微米，是截止目前公开报道的具有最微小SRAM单元的可工作电路；同时它集成了29亿个晶体管。
高k金属栅极技术于两年前面世于45纳米产品中，今天这个22纳米的测试芯片标志着第三代高k金属栅极技术的诞生。英特尔仍是唯一能生产具备如此高能效与高性能特性的产品的厂商，截止目前45纳米CPU的出货量已经超过2亿颗。
制造事业部还首次使用英特尔32纳米技术开发了一种用于片上系统（SoC）设计的独特的全功能技术，把世界级CPU制程技术引入全新的SoC市场。设计人员将能够籍此在设计CPU时选择极端高性能或者是选择极端低功耗，这对于SoC产品提高手机和其他产品的电池续航时间是必不可少的。
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