Toggle 2.0标准：向400Mbps迈进
三星830系列采用的是27纳米制程Toggle DDR Mode 1.0标准的闪存，其接口带宽可以达到133MT/s，而840系列所采用的是21纳米制程Toggle DDR Mode 2.0标准的闪存，可以达到400MT/s的接口带宽。
单颗容量为32GB的三星Toggle 2.0 TLC闪存，编号K9CFGY8U5A-CCK0
Toggle DDR Mode是三星和东芝两家全球NAND市场的头号领军厂商于2010年6月联合制定的全新NAND闪存接口标准，用来与英特尔、美光、海力士为首的NAND厂商所主打制定的闪存接口标准“ONFI”分庭抗礼。
目前基于SandForce SF-2281主控的固态硬盘如果是采用英特尔或者美光的颗粒，都基于ONFI 2.2标准，该标准支持NAND闪存每条通道的传输带宽提升至166MT/s～200MT/s，而2011年最新出台的ONFI 3.0规范让闪存的接口带宽达到400MT/s。
Toggle 2.0闪存可以实现高达400Mbps的带宽
对于Toggle DDR Mode来说，所谓的“DDR”其实和DDR内存的道理是一样的，利用DQS信号的上升沿和下降沿都进行一次数据的传输，速度自然翻倍。
全新的Toggle DDR Mode 2.0可是实现随机读取性能30%的增幅，随机写入性能120%的增幅。而按照如果相应闪存以8bit的位宽来计算，可以实现400Mbps的传输带宽。但综合来讲，全新标准的闪存应该和全新一代的主控芯片配合才能发挥出全部效能。这也正是三星840性能再次攀升的因素之一。
2015~2017年将迎来Toggle 3.0标准
到2015~2017年，我们将迎来Toggle DDR Mode 3.0标准，届时带宽将达到800MT/s。同时三星也将致力于发展PCIe接口的固态硬盘，并认为是未来10年高性能产品的最佳选择，配合超高的带宽，得以发挥新一代闪存的性能。
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