新浪科技讯 北京时间12月21日上午消息,据国外媒体报道,消息人士周一透露,东芝或投资2000亿日元(约合22亿美元)将NAND闪存芯片产能在明年4月份时提高约40%。
消息人士称,东芝计划将设在日本四日市工厂的300毫米闪存芯片产能从目前的每月26万片提高至36万片。此外,该公司还计划于2012年前在半导体业务方面投资5000亿日元。
新浪科技讯 北京时间12月21日上午消息,据国外媒体报道,消息人士周一透露,东芝或投资2000亿日元(约合22亿美元)将NAND闪存芯片产能在明年4月份时提高约40%。
消息人士称,东芝计划将设在日本四日市工厂的300毫米闪存芯片产能从目前的每月26万片提高至36万片。此外,该公司还计划于2012年前在半导体业务方面投资5000亿日元。
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