电脑之家（PChome）12月24日消息，据国外媒体报道，专业内存颗粒厂商Elpida今天正式宣布，已经在位于日本广岛的工厂启动了40nm工艺2GB DDR3颗粒的量产，这也是两个月前2GB DRAM研发成功后的又一里程碑式消息。
当使用同种晶圆时，新的40nm DRAM颗粒将比传统的50nm工艺产量提高44%，而且可以100%保证出产的DDR3内存可以工作在1.6Gbps（1600MHz）。另外新的2GBneicun可以在1.2V/1.35电压下工作，比JEDEC标准内存规范中规定的1.5V还要低，可以说进一步降低了发热，提高的超频能力。
Elpida计划在2010年第二季度在其子公司Rexchip中投产40nm内存，另外Elpida还宣称如果明年内存市场发展看好，将与ProMOS和Winbond分享其40nm制造工艺，从而进一步扩大产品产量。
从目前的形势看，金融危机对DIY硬件产业的影响正在逐渐降低，明年将有更多的新技术与玩家们见面，对40nm 2GB DDR3内存感兴趣的玩家请关注PChome的后续报道。
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