全球瞩目的英特尔32nm制造工艺的core i3和集成了GPU显示核心的全新一代Clarkdale平台H55芯片组整装待发,即将在2010年1月8日正式发布。而映泰做为一线的台系品牌，借助于英特尔的友好关系抢先第一个在大陆上市，并且此次映泰的H55主板以全新的高端形象出现在大众面前，大大提升了映泰在高端市场的形象。据悉，映泰在首款TH55 XE主板上面采用了超•节能II代量子芯供电技术，上市价格为799元，成为各大媒体和用户的关注焦点，接下来就一探究竟？
映泰TH55 XE使用超•节能II代量子芯供电技术，采用7相供电，其技术融量子芯供电芯片、纯铁芯电感和100%日系全固态PSE电容为一体，通过精准的供电电路布线设计，提供最精准的CPU超频供电。量子芯供电技术带来的好处是:供电超频发热量低，元件经久耐用，供电精准可靠，提供纯净的CPU供电，有效提升极限超供电能力和效率，极限超频性能更好。
量子芯供电技术核心元件为量子芯供电芯片，采用高纯度硅片、昂贵稀有金属，以最新纳米技术制程制造，精密程度不亚于CPU芯片;量子芯为铜外壳包装，全新的贴片工艺焊盘，发热量低，工作寿命为普通供电MOS管10倍以上，并且芯片节能与普通的芯片可达到8倍的优势。量子芯专用于高端服务器、笔记本等，德国英飞凌科技精密芯片也获授权采用这种专利技术。一对量子芯供电能力相当于5颗普通MOS管。
1、 双面散热铜外壳
量子芯硅片被装入铜外壳，封装的底部是经特殊设计的芯片，直接焊到PCB板的表贴焊盘，铜外壳结构提供高效的双面散热。
2、 散热效率快2.5倍
量子芯采用独有的结构和用料，从封装顶部散掉的热量是普通SO8 MOS的两倍半，有效的顶部散热意味器件散发出的热量可以被带离线路板，增加元器件安全工作的电流值。
3、 废热损耗减少8倍，节能8倍
普通的MOSFET使用引线键合来实现硅片和管脚框架之间的电连接，而量子芯，将接触面的数目和传导路径的长度减到最小从而减小了传导损耗。
独特的封装提供了最优良的封装阻抗，仅为普通MOS损耗1/8左右,减少废热产生,节省8倍损耗电量。
4、供电性能1个顶2.5个
满足极限超频供电18A高电流需要，用最好的单面散热的SO8封装MOSFET，每相要用五只，采用双面散热的量子芯供电芯片贴片MOS管只需两只就可以轻松满足。
作为超节能II代的核心技术，量子芯供电技术提供了比普通供电技术更好、更快、更为省电的效能，让TH55 XE在新平台产品中脱颖而出，优势和特色非常明显，结合Intel最新集成GMA HD显卡的Clarkdale各款处理器，完全可以轻松应对新Socket1156平台极限超频、高清应用和游戏娱乐等需求
网友评论