电脑之家（PChome）2月2日消息，今天记者从国外媒体得到消息，韩国专业内存颗粒制造三星（Samsung）近日宣布将开始研制30nm DRAM芯片，并用以制造2GB DDR3内存颗粒。
据悉借助30nm技术，新的DDR3内存产量将比40nm工艺提高60%，而相同制造成本下，其产量将是50nm或60nm工艺的两倍。
三星内存事业部经理Soo-In Cho介绍，三星开发下一代30nm工艺DRAM芯片是为了保持在内存市场的领先地位，新的30nm内存不仅可以提供更低的功耗，而且性能也将又进一步提升。
三星使用30nm工艺制造的2GB DRAM相比50nm工艺DRAM节能30%，产品将主要为桌面、笔记本、服务器和移动设备设计，产品预计在今年下半年量产。
对三星使用30nm工艺制造的DDR3内存感兴趣的玩家请关注PChome的后续报道。
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