电脑之家（PChome）2月3日消息，今天得到消息，Intel和镁光（Micron）成立的合资公司IM Flash Technologies （IMFT）将开发全新的25nm NAND制造工艺。
据悉新的25nm工艺将为固态硬盘、闪存、多媒体播放器、手机和其他设备带来更高大的存储空间和更低的制造成本。
使用新的25nm工艺后，将可已在167平方毫米的面积内制造出容量达64GB的MLC NAND闪存芯片，而芯片面积相同时，使用34nm技术仅能获得4GB的存储空间。
镁光内存部门主管Brian Shirley表示，Intel和镁光联合研发的新工艺将领导整个半导体产业进步，由于使用新工艺生产的产品集成度更高，因此可谓客户节省客观的成本费用。
IMFT计划在今年第二季度开始量产25nm 8GB芯片，因此我们很可能在今年年底前看到新一代固态硬盘问世。
对成本更低，容量更大的25nm闪存工艺感兴趣的玩家请关注PChome的后续报道。
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