40nm打造高密度DDR3 三星推新款内存

互联网 | 编辑: 李涛 2010-02-25 06:00:00原创

电脑之家(PChome)2月25日消息,三星电子准备采用40nm技术生产一款4Gb DDR3 DRAM的内存条。这款高密度内存条可以在1.5V或1.35V供电电压下工作,工作频率为1600MHz。

“当我们的40nm标准的DDR3在去年的七月份首次发布之后,我们在高密度DDR3内存上走在了前列”三星电子内存市场副总裁Dong-Soo讲。“现在,我们在短短七个月之后,又重新推出了超低功耗的绿色4GB的DDR3内存,其密度是前者的两倍。基于这个密度为16-gigabyte的模块,内存可以节省35%的电耗。这样的设计满足了更多的对节能设计有要求的客户的需求。”

三星表示将把40nm技术应用到三星90%的DDR DRAM内存上。

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