电脑之家（PChome）3月27日消息，富士通（Fujitsu）公司本周宣布他们开发出了一种新的闪存，可以引导全新的NOR闪存电路制造出速度更快，电量更低的闪存。
这种闪存能够达到100,000次写入/擦除数据周期，相比富士通现有的产品，新的闪存提升速度为原来的2.5倍（10纳秒），并降低了三分之二的电力消耗（9µA）。
采用富士通独有的高速内存访问技术的FCRAM（快速循环随机存取内存），全新的宏（Macro）将会应用到嵌入闪存的单片机领域，如汽车、工业和消费电子应用。虽然这项技术不会很快普及，但是这也只是迟早的事。
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Redmi王腾在此前透露，Redmi K80系列只有两款机型，K80E被砍掉了。不过K80E空出来的市场，是会有机型来填补的，而补位机型大概就是Redmi Turbo 4了。
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