昨日,唯一两家使用XD卡作为存储介质的 富士 和 奥林巴斯 公司分别发布了全新的2GB容量XD卡M2GB**,其中的“M”含义为MLC,即多级单元结构,是一种高密度闪存技术,这种技术使得一张非常小巧的XD卡(20mm x 25mm x 1.7mm)实现了具有 高达 2GB容量的存储功能。
昨日,唯一两家使用XD卡作为存储介质的 富士 和 奥林巴斯 公司分别发布了全新的2GB容量XD卡M2GB**,其中的“M”含义为MLC,即多级单元结构,是一种高密度闪存技术,这种技术使得一张非常小巧的XD卡(20mm x 25mm x 1.7mm)实现了具有 高达 2GB容量的存储功能。而这一技术将使其在将来达到最高8GB的超 大理 论存储容量。新的M2GB预计将在2006年10月面市。
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