三星宣布提升40纳米DDR3内存芯片产量

互联网 | 编辑: 李涛 2010-05-05 00:00:00编译
电脑之家

电脑之家(PChome)5月5日消息,全球顶尖的DRAM和NAND制造商三星电子近期宣布将增加40纳米DDR3内存芯片的产量,以顺应采用英特尔Xeon X5600系列处理器的服务器制造商的需求。

相比60纳米工艺的DRAM内存,三星的40纳米DDR3内存芯片可以节省40%的电能。据了解,该40纳米DDR3内存芯片有1Gb、2Gb以及4Gb几种,可以制造出容量从1GB到32GB的内存模组。

“当使用Xeon 5600系列处理器搭配5500和7500平台时,DDR3内存的使用大大提升了数据的传输效率,同时也可以在企业级服务器的应用领域降低功耗”,三星内存部门高管Jim Elliott表示,“我们的低功耗DDR3解决方案将在新一代‘绿色’服务器领域中起到非常重要的作用”。

相关阅读

每日精选

点击查看更多

首页 手机 数码相机 笔记本 游戏 DIY硬件 硬件外设 办公中心 数字家电 平板电脑