电脑之家（PChome）5月5日消息，全球顶尖的DRAM和NAND制造商三星电子近期宣布将增加40纳米DDR3内存芯片的产量，以顺应采用英特尔Xeon X5600系列处理器的服务器制造商的需求。
相比60纳米工艺的DRAM内存，三星的40纳米DDR3内存芯片可以节省40%的电能。据了解，该40纳米DDR3内存芯片有1Gb、2Gb以及4Gb几种，可以制造出容量从1GB到32GB的内存模组。
“当使用Xeon 5600系列处理器搭配5500和7500平台时，DDR3内存的使用大大提升了数据的传输效率，同时也可以在企业级服务器的应用领域降低功耗”，三星内存部门高管Jim Elliott表示，“我们的低功耗DDR3解决方案将在新一代‘绿色’服务器领域中起到非常重要的作用”。
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