尽管目前DDR2内存的平台还没有大规模普及，但可以肯定的，由于低价LGA775平台配件不断下降，Intel与AMD的全面支持，DDR2皇朝的到来只是时间问题。另外，值得我们关注的是，如果只是在频率上进行无休止的竞争的话，那么DDR技术终究会曲终人散，DDR老迈的技术在保持成本不变的
尽管目前DDR2内存的平台还没有大规模普及，但可以肯定的，由于低价LGA775平台配件不断下降，Intel与AMD的全面支持，DDR2皇朝的到来只是时间问题。另外，值得我们关注的是，如果只是在频率上进行无休止的竞争的话，那么DDR技术终究会曲终人散，DDR老迈的技术在保持成本不变的情况下其性能难以有大的突破，而DDR2却满足了一些本质上的问题，随着处理器技术的发展，前端总线对内存带宽的要求是越来越高，拥有更高更稳定运行频率的DDR2内存将会大行其道。
一、什么是DDR2？
DDR2（Double Data Rate 2） SDRAM是由JEDEC（电子设备工程联合委员会）进行开发的新生代内存技术标准（如图1），与上一代DDR内存不同的是，虽然同是采用了在时钟的上升/下降延同时进行数据传输的基本方式，但DDR2内存却拥有两倍于上一代DDR内存预读取能力（即4bit数据读预取）。也就是说，DDR2内存每个时钟能够以4倍外部总线的速度读/写数据，并且能够以内部控制总线4倍的速度运行。
图1，最新DDR2 533内存
二、为何要DDR2？
内存性能，始终是我们所要追求的，从“速度=位宽×频率”的内存性能计算公式来看，提高内存性能有两种方式，增加内存总线的位宽或者是提高内存工作的频率。但问题是，现在由于发热量以及设计等方面的限制，导致内存单元无法提高频率，内存总线位宽也不能轻易增加。
尽管DDR400中的存储阵列工作频率是200MHz，目前最快的DDR SDRAM的频率(这里不包括那些超频的内存)达到了550MHz，它的内部阵列工作频率达到275MHz，这个频率已经很难再继续提高。此时，就需要一个新的内存标准保证内存频率和性能可以稳定的提高，那就是DDR2内存。
DDR采用了2位预取(2-bit prefetch)，也就是2：1的数据预取，2bit预取架构允许内部的队列(column)工作频率仅仅为外部数据传输频率的一半。在SDRAM中数据传输率完全参考时钟信号，因此数据传输率和时钟频率一样。DDR2采了4位预取(4-bit prefetch)，这就是DDR2提高数据传输率的关键，可以在不提高内部存储阵列频率的情况下提高数据输出带宽（如图2）。
图2，DDR与DDR2工作原理
三、DDR2性能优越
DDR2内存所带来的性能提升是明显的，在同等核心频率下，DDR2内存实际工作频率是DDR内的两倍。这得益于DDR2内存拥有两倍于标准DDR内存的4BIT预读取能力。也就是说，虽然DDR2与DDR一样，都采用了在时钟的上升延和下降延同时进行数据传输的基本方式，但DDR2拥有两倍于DDR的预读取系统命令数据的能力。在同样100MHz的工作频率下，DDR的实际频率为200MHz，而DDR2则可以达到400MHz（如图3）。
图3，DDR与DDR2区别
另外，在同等工作频率下的DDR和DDR2内存中，DDR2内存的延时要慢于DDR内存，比如说，DDR 200和DDR2-400具有相同的延迟，而DDR2-400具有高一倍的带宽。实际上，DDR2-400和DDR 400具有相同的带宽，它们的带宽都是3.2GB/s，但是DDR400的核心工作频率是200MHz，而DDR2-400的核心工作频率是100MHz，也就是说DDR2-400的延迟要高于DDR400。
四、功耗更低的DDR2
发热量，一直是急切解决的问题，尽管目前的DDR内存并不需要太高的容量，但对于未来DDR2内存的散热就不可忽视，举例来说，安装4GB内存到插槽中，在峰值调用下内存的发热量将在35-40W之间，虽然这样容量的内存很少见，但在DDR2平台中，4GB容量已经不是很希奇的事。因此，需要预先解决这个问题，减少发热量最好就是使用新的内存标准。而且内存的工作频率(往往发热量是和工作频率共同增长的)将会得到不断的增加，因此我们也需要尽快解决发热量的问题。
尽管DDR内存的FBGA封装形式可以很好的工作在200MHz上，当频率更高时，它过长的管脚就会产生很高的阻抗和寄生电容，这会影响它的稳定性和频率提升的难度。这也就是DDR的核心频率很难突破275MHZ的原因，而DDR2内存均采用FBGA封装形式（如图4），FBGA封装可以提供了更为良好的电气性能与散热性，DDR2内存的接口针脚为240pin，而DDR内存的接口针脚为184pin，DDR2内存的电压从原来DDR的 2.5到2.8v降到了1.8v，从而提供了明显的更小的功耗与更小的发热量，芯片温度和写入延迟不定性都得到了下降。为DDR2内存的稳定性、超频性以及未来频率的提升提供了有利条件。
图4，DDR2的FBGA封装
五、DDR2更新的技术
在新技术方面，与普通DDR内存不同的是，DDR2内存使用了更新的技术，其中最主要的是OCD（Off-Chip Driver）、ODT（On Die Terminator）和Post CAS。OCD被称为离线驱动调整（如图5），DDR2通过OCD技术可以提高信号的完整性，DDR2通过调整上拉（pull-up）/下拉（pull-down）的电阻值使两者电压相等，使用OCD通过减少DQ-DQS的倾斜来提高信号的完整性；通过控制电压来提高信号品质。在I/O Driver新增稳压线路，令充电、放电动作的电压值的误差减至最少，以防止电压不稳定的时候引起资料丢失。
图5，OCD技术工作原理
DDR2内存本身集成了ODT信号终结器（如图6），在并行总线中，信号传输到一端的尽头之后不会自动消失，而会沿着相反的方向反射回去，这样就会与后面传送过来的信号发生碰撞，导致传输数据出错。一般情况下，工作频率越高，信号反射的现象就越严重，终结器就是用来解决这个问题的，它可以有效的吸收末端信号，防止数据的反射。DDR2内存直接将终结器整合在内存芯片中，以内部逻辑的形态存在。如果多条模组一起工作，系统可以自动控制每一条模组中ODT功能的开启或关闭，这样我们就不必担忧信号会在第一条模组中就被终结掉，而在后续模组中无法生效的问题。
图6，ODT信号终结器
DDR2通过引入Post CAS功能来解决指令冲突问题，Post CAS是为了提高DDR II内存的利用效率而设定的。Posted CAS是指将CAS（读/写命令）提前几个周期、直接插到RAS信号后面的一个时钟周期（如图7）。这样CAS命令可以在随后的几个周期内都能保持有效，但读/写操作并没有因此提前，总的延迟时间也没有改变。由于CAS信号放在了RAS信号后面一个时钟周期，它的好处在于可以彻底避免信号冲突、提高内存使用效率。但这种功能的效果只有在读写极其频繁的环境下才能得到体现，若是普通应用，Posted CAS反而会增加读取延迟、令系统性能下降。用户通过调整主板CMOS中的设置，来控制Posted CAS功能开启或关闭。
图7，Post CAS工作原理
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