英特尔与镁光开始出样25nm TLC闪存

互联网 | 编辑: 孙伟 2010-08-19 00:00:00转载

英特尔今天宣布和镁光一起发布25nm TLC闪存的第一款样品,TLC(Trinary-Level Cell;TLC),即3bit/cell,也就是1个内存储存单元可存放3位元。TLC速度慢,寿命短,但成本低,价格也较便宜,有2000-5000次擦写寿命,非常适合U盘、SD卡和消费电子产品。新发布的芯片拥有8GB容量,芯片面积131平方毫米,比25纳米制程MLC还小20%,以下是图像:

相比MLC,TLC擦写寿命更短,不到前者的一半,但是相信价格会进一步降低,虽然适合于U盘等产品,但预计并不适用于固态硬盘。

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