封装技术即将集成电路打包的技术，不同封装技术的内存条，在性能上会存在较大差距，封装不仅保证芯片与外界隔离，便于安装和运输，而且封装好坏直接影响芯片自身性能的表现和发挥。
芯片封装技术先进与否的重要指标是芯片面积与封装面积之比越接近1越好。
1.内存芯片最初封装是采用双列直插封装，即DIP(Dual ln-line Package)，DIP封装尺寸远比芯片大不少，封装效率很低，占用很多有效安装面积。
2.TSOP封装技术目前还是内存封装的主流，TSOP（Thin Small Outline Package）即薄型小尺寸封装，如左图，它在封装芯片的周围做出引脚，TSOP适合用SMT技术在PCB上安装布线。TSOP封装，寄生参数减小，适合高频应用，操作比较方便，可靠性也比较高。
3.球栅阵列封装，如图，即BGA（Ball Grid Array Package），它在笔记本电脑的内存等大规模集成电路的封装领域得到了广泛的应用。
BGA封装技术，它芯片成品率，虽功耗增加，但可以改善芯片的电热性能，可靠性高。 BGA 封装技术特点：I / O引脚数增多，引脚间距不变，得于提高成品率；BGA能用可控塌陷芯片法焊接，改善电热性能；内存厚度和重量减少；寄生参数减小，信号传输延迟小，使用频率大大提高；组装可用共面焊接，可靠性高。采用BGA新技术封装的内存，可以使所有计算机中的DRAM内存在体积不变的情况下内存容量提高两到三倍，BGA封装技术使每平方英寸的存储量有了很大提升，采用BGA封装技术的内存产品在相同容量下，体积只有TSOP封装的三分之一。
4.CSP封装技术，CSP（Chip Scale Package）即芯片级封装，如下图，CSP封装可以让芯片面积与封装面积之比超过1：1.14，与BGA封装相比，同等空间下CSP封装内存产品体积更小、容量更大、抗噪和散热效果更佳，CSP的电气性能和可靠性提升很大，系统稳定性更强，成为DRAM产品中，最具革命性变化的内存封装工艺。
CSP封装内存芯片的中心引脚形式有效地缩短了信号的传导距离，其衰减随之减少，芯片的抗干扰、抗噪性能也能得到大幅提升，CSP封装可以从背面散热，且热效率良好，另外由于CSP芯片结构紧凑，电路冗余度低，因此它也省去了很多不必要的电功率消耗，致使芯片耗电量和工作温度相对降低。
5.宏盛（NORCENT）的Micro-CSP封装技术，它应用先进的倒装焊技术，很容易将内存容量增加为四倍以上，电气性能和可靠性也提高，存取时间也有改善。Micro-CSP封装技术主要用于高端PC DDR内存及笔记本专用内存和服务器内存中，它高速度、大容量、散热好。是新内存封装的另一条阳光大道。
6、BLP技术BottomLeadedPlastic（底部引出塑封技术），其针脚从底部引出，其芯片面积与封装面积之比大于1：1.1，符合CSP填封装规范。不仅高度和面积极小，而且电气特性得到了进一步的提高，制造成本也不高，广泛用于SDRAMRDRAMDDR等新一代内存制造上。
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