英特尔公司今天宣布已制造出基于65纳米技术（下一代半导体批量制造工艺）的全功能SRAM（静态随机存储器）芯片，这确保了英特尔在2005年将这一制程应用于300毫米晶圆的工艺制造
这种65纳米（1纳米等于十亿分之一米）制程融合了高性能、低功耗晶体管、第二代英特尔应变硅、高速铜互连以及低-K电介质材料。采用65纳米制程生产芯片将使英特尔能够将当前单个芯片上的晶体管数量再翻一番。
英特尔技术与制造事业部副总裁兼总经理周尚林博士说：“这一成果使英特尔65纳米技术延续了我们15年的记录：每两年推出一种新的制程。事实上，自我们公布90纳米制程（现已投入生产）全功能SRAM以来，迄今只有20个月。65纳米制程将使我们能够以更低的成本制造出更好的产品，同时继续革新并扩展‘摩尔定律’。”
工艺技术细节
高级晶体管：英特尔新的65纳米制程将采用门长度仅35纳米的晶体管，这是当前开始量产的尺寸最小、性能最高的CMOS晶体管。相比之下，今天最先进的晶体管（用于英特尔®奔腾®4处理器）其门长度仍有50纳米长。更小更快的晶体管是制造速度更快的处理器不可或缺的构建模块。
应变硅（Strained silicon）：英特尔在新制程中采用了其第二代高性能应变硅。应变硅可提供更高的驱动电流与更快的晶体管的速度，但制造成本却只会有2％的提升。
新型低-K电介质材料的铜互连 (Copper Interconnects with new low-k dielectric)：新制程集成了八个铜互连层，使用低-K电介质材料来提高芯片中的信号速度和减少芯片功耗。
英特尔已使用65纳米制程制造出晶胞尺寸仅0.57µm²的全功能4M SRAM 芯片。小的SRAM晶胞可在处理器上集成更大的高速缓存以提高性能。SRAM晶胞具有可靠的运行特性，稳定的噪声容限（ noise margin）意味着高效的开关特性。每个SRAM 内存晶胞有六个晶体管：1000万个这样的晶体管只有1平方毫米，相当于一支圆珠笔笔尖的大小。
英特尔高级工程院士兼制程架构与集成总监Mark Bohr说：“英特尔65纳米制程工艺当前发展良好，我们已开始在开发工厂制造这样的晶圆与芯片。到2005年，我们将是业界首家掌握65纳米制程工艺的公司。”
65纳米半导体设备的生产制造是由位于英特尔俄勒冈州Hillsboro的开发工厂D1D完成的。D1D是英特尔最新的工厂，有着公司最大的单位净室，面积为176,000平方英尺，相当于3个半足球场的大小。
自主研发的掩模设施延长了光刻工具的使用周期
英特尔自主研发的掩模制作小组在制作高级掩模的工作中立下了汉马功劳，他们的工作延长了65纳米制程中193纳米波长光刻设备的使用周期。公司希望复用当前90 纳米制程中的193纳米和248纳米光刻设备，同时添加一些升级的193纳米工具。这可显著降低实施成本、并为日后的规模生产提供一套成熟的工具。65纳米制程日前正逐步在D1D中被应用于批量生产，计划于2005年推广到其它300毫米晶园制造工厂投入生产。
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