Intel与美光合资公司出品的25nm工艺NAND闪存在今年5月就已经实现了量产。原本我们认为，Intel计划中在今年四季度推出采用该闪存的第三代固态硬盘产品已经足够稳健了。但根据欧洲媒体近日得到的消息，Intel近期又修改计划，将该系列固态硬盘的发布时间推迟到了明年2月。
根据之前泄露的路线图，Intel计划在今年四季度推出代号Postville Refresh的第三代X25-M以及X25-V。凭借25nm工艺MLC NAND闪存的优势，实现容量翻倍，性能提升，更重要的是价格大幅下降。而到了明年一季度，还会再推出推出X18-M新品以及企业级的X25-E。
不过根据最新得到的消息，Intel近期对计划进行了修改。今年第四季度智慧推出一款新品X25-M，并且依然使用34nm闪存和第二代控制器芯片，应对市场对不同容量产品的需求。大规模的第三代产品发布被推迟到了明年二月份。
据称此次延期与产能有关。去年当Intel X25-M G2发布时，由于性能出众立即引起了广泛关注，并长期处在供不应求状态直至2010年。因此虽然25nm工艺芯片已经早早量产，良品率表现也不错，但Intel还是准备积蓄一段时间的产能，在新产品正式发布时既能凭借性能吸引眼球，也能提供稳定充足的货源满足消费者需求。
事实上，近期已经有厂商开始展示采用Intel/美光25nm工艺闪存的固态硬盘产品。但由于他们的货源肯定是来自这两家厂商，在Intel和美光的25nm闪存固态硬盘正式发布前，下游厂商应当不会被允许推出此类产品。
笔者观点：第二代固态硬盘为我们带来了TRIM，使耐用性得到提高。其实就目前来看，很多MLC闪存的固态硬盘在可靠性方面已经比较成熟，现在应该着手解决的主要就是价格问题。新工艺有助于成本下降，而英特尔的此次行动，跟市场策略关系很大。无论怎样，我们期待新工艺固态硬盘推出后该市场的表现。
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