当前英特尔正在全力准备第三代固态硬盘，新一代产品将使用25nm NAND MLC闪存芯片，这将使得英特尔在面对SandForce更具竞争力。
根据国外媒体报道，第三代产量“G3”将面向消费级市场推出X18-M和X25-M两款产品，采用SATA 3.0Gbps接口，支持AES 128bit全硬盘加密功能，可以提供高达250Mb/s和170MB/s的读写速度。而随机4K读写性能也将达到50000 IOPS和40000 IOPS。这两款产品有望于今年第四季度到明年第一季度推出，容量将有80GB、160GB、300GB几种，而X25-M还将推出600GB型号。
面向企业级推出的X25-E G3将采用eMLC芯片，最大支持600GB容量，支持FED全硬盘加密，可以提供的读写性能达到250MB/s和200MB/s，随机4K读写性能均为50000 IOPS。据悉，第三代固态硬盘在功耗方面的表现也会更加出色。
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