作为曾在CES 2011展出的OCZ下一代Z-Drive固态硬盘Z-Drive R3 P84，目前正式宣布将作为企业级存储解决方案二推出。这款产品将具备有极高的性能、可靠性和灵活性。
作为曾在CES 2011展出的OCZ下一代Z-Drive固态硬盘Z-Drive R3 P84，目前正式宣布将作为企业级存储解决方案二推出。这款产品将具备有极高的性能、可靠性和灵活性。
规格方面，Z-Drive R3 P84采用了PCI-Express x8接口，半高型PCB设计，集成两个或四个SandForce SF-1565控制器并内建RAID。采用的闪存芯片为MLC。据悉，使用OCZ专有的虚拟控制器架构（VCA）技术将允许用户组建大规模的高性能并行NAND阵列，同时依然保持很低的延迟。
由于采用了这种VCA虚拟控制器架构技术，这款OCZ Z-Drive在阵列模式下依然支持TRIM，SMART监测，NCQ（原生命令队列）和TCQ（标记命令队列）功能，电源故障管理，磨损平衡，并具备有1000万小时的惊人的平均故障间隔时间（MTBF）。
性能方面，OCZ Z-Drive R3可以提供的最高读写速度分别为1000MB/s和970MB/s。4KB随机写入性能达到135K IOPS。相比之下，OCZ高性能SATA3.0Gbps接口的Vertex 2 EX系列产品同样定位于企业级市场，但是最高IOPS仅为50K，读写速度也分别只有285MB/s和275MB/s。
OCZ Z-Drive R3系列产品包含300GB、600GB以及1.2TB三款，提供三年质保，价格信息目前尚未透露。
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