步入20nm工艺 SanDisk发布嵌入式闪存

PChome | 编辑: 孙伟 2011-02-15 05:51:00原创

为了迎合下一代智能手机和平板电脑产品对存储的需求,SanDisk如今宣布了全新的iNAND和iNAND Ultra嵌入式闪存芯片(EFD),最大64GB容量,但是体积仅为11.5 x 13 x 1 mm。

为了迎合下一代智能手机和平板电脑产品对存储的需求,SanDisk如今宣布了全新的iNAND和iNAND Ultra嵌入式闪存芯片(EFD),最大64GB容量,但是体积仅为11.5 x 13 x 1 mm。

新产品全部采用了全新的24nm工艺NAND Flash闪存芯片,其中iNAND采用的是三层单元(其实就是TLC),而iNAND Ultra采用的则是MLC闪存。预计这些芯片将在今年第三季度才会实现量产。

自从iNAND主攻移动式设备以来,SanDisk发布了采用BGA封装的iSSD系列嵌入式产品,包含4GB到64GB多种容量。iSSD和iNAND Ultra一样采用MLC芯片。目前针对这些产品的具体规格还不清楚。

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