迈入20nm工艺 OCZ新固态硬盘寿命衰减

PChome | 编辑: 孙伟 2011-02-17 06:14:00原创

OCZ科技今天宣布了其首款“完全转向20nm级制造工艺”的固态硬盘已经成功,但是目前还没有公布具体的产品。全新的工艺将使固态硬盘在价格不变的情况下,获得更高的存储容量。但不幸的是,新工艺也会减小闪存的写入寿命。

OCZ科技今天宣布了其首款“完全转向20nm级制造工艺”的固态硬盘已经成功,但是目前还没有公布具体的产品。全新的工艺将使固态硬盘在价格不变的情况下,获得更高的存储容量。但不幸的是,新工艺也会减小闪存的写入寿命。

根据OCZ的说法,20nm级(确切说是25nm)NAND闪存只有3000的写入循环次数,而现在主流的34nm闪存则达到5000次。为了确保使用正常,20nm级产品将会被主控多分出一些空间用于磨损平衡,而这个空间由主控所决定。

据悉面向消费级用户的产品,这个空间差不多为4到5GB,物理容量自然还会和现有的34nm产品一致。

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