OCZ科技今天宣布了其首款“完全转向20nm级制造工艺”的固态硬盘已经成功，但是目前还没有公布具体的产品。全新的工艺将使固态硬盘在价格不变的情况下，获得更高的存储容量。但不幸的是，新工艺也会减小闪存的写入寿命。
OCZ科技今天宣布了其首款“完全转向20nm级制造工艺”的固态硬盘已经成功，但是目前还没有公布具体的产品。全新的工艺将使固态硬盘在价格不变的情况下，获得更高的存储容量。但不幸的是，新工艺也会减小闪存的写入寿命。
根据OCZ的说法，20nm级（确切说是25nm）NAND闪存只有3000的写入循环次数，而现在主流的34nm闪存则达到5000次。为了确保使用正常，20nm级产品将会被主控多分出一些空间用于磨损平衡，而这个空间由主控所决定。
据悉面向消费级用户的产品，这个空间差不多为4到5GB，物理容量自然还会和现有的34nm产品一致。
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