深圳市高交会“集邦科技高科技产业前瞻论坛”。涌入了座位两倍近四百人的上、中、下游相关厂商，主办单会全球最大的内存网站---集邦科技，为满足到会企业的强烈要求，集邦临时更换更大场地之会议室，场面极为壮观。与会单位均表示此次前瞻论坛堪称是整个高交会最受注目的研讨
(2006年10月17日)昨日(16
号)深圳市高交会“集邦科技高科技产业前瞻论坛”。涌入了座位两倍近四百人的上、中、下游相关厂商，主办单会全球最大的内存网站---集邦科技，为满足到会企业的强烈要求，集邦临时更换更大场地之会议室，场面极为壮观。与会单位均表示此次前瞻论坛堪称是整个高交会最受注目的研讨会，并有相关单位表示:这是中国内存产业史上最成功的研讨会。
此次研讨会是由深圳市中国国际高新技术成果交易中心(简称高交会)、集邦科技(DRAMeXchange)及其今年初合并的
LCD研究机构WitsView共同举办，来宾囊括了全球范围内的重量级DRAM、FLASH产业上下游公司，包含从董事长到技术、营销人员等企业各层次人员。与会来宾汇集全中国内存产业多位重量级人士参与，为全球DRAM产业嘱目焦点的盛会。
集邦科技(
DRAMeXchange,
Witsview)董事长刘炯朗博士指出：高交会是中国前三大展之一，藉此时机举办研讨会，可以为国内的内存与光电产业业界人士提供一个最佳的交流机会。鉴于此次活动成功的成功举办与轰动效应，集邦科技表示有意愿在往后的高交会中继续举办此类研讨会。
参加的各厂商演讲者，都对未来的发展指出了重要的方向，其中全球最大内存现货市场供货商，且今年营业额直逼两百五十亿人民币的力晶半导体，也首次参与此次研讨会。力晶副总丁振铎亦对五年内DRAM产业的发展提出以下精辟的见解:
一、 Mobile RAM 将从原本的6% 成长到18%。
二、 Graphic RAM 将会继续维持在 6% 到 9%之间。
三、
DDR3将在2010年成为主流。
▲资料来源集邦科技;PSC Marketing
主讲人之一的全球内存芯片的龙头---三星半导体深圳代表处副总经理徐亨硕先生(Mr. Simpson Seo)在该会中表示闪存卡占据了整体Nand flash市场中的45%，未来五年将维持23%的年成长率。手机占了闪存卡应用产品的比例，到2010年时将从今年的50%成长到87.5%，影响整个记忆卡市场甚巨。
而自去年登上全球第二大模块大厂威刚科技，其北京分公司总经理黄俊杰也在该研讨会中不藏私的分享:威刚在不到六年的时间里如何在战况激烈的模块产业中脱颖而出成为世界第二大厂的秘诀。
而DRAMeXchange内存及PC分析师群亦在研讨会中剖析市场现况及未来发展重点:
一、在Vista、绘图卡、多媒体等消费性电子以及智能型手持装置需求带动下，2007、2008 年DRAM位需求将成超过50%成长。
二、
2007平台表现，笔记本电脑年成长率约在20%左右。NB渗透率2010年可望达到五成。
三、 手机将成为 NAND Flash新的需求驱力；NAND
Flash应用容量将呈倍数增加。
▲手机将成为 NAND Flash新的需求驱力(资料来源:集邦科技)
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1H06 |
2H06 |
1H07 |
2H07 |
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NAND Flash chip |
2-4Gb |
4-8Gb |
8-16Gb |
16-32Gb |
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SD card & USB drive |
512MB-1GB |
1-2GB |
2-4GB |
4-8GB |
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Micro SD card |
256-512MB |
512MB-1GB |
1-2GB |
2-4GB |
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MP3 & PMP |
1-2GB |
2-4GB |
4-8GB |
8-16 GB |
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SSD |
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8-16GB |
16-32GB |
▲NAND Flash应用容量将呈倍数增加(数据来源:集邦科技)
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