上一次笔者为大家带来了英特尔320系列固态硬盘的评测，笔者曾在其中提到，文章中的大部分的测试项目都是在空盘的环境下完成的，可以说是出厂状态，最贴近理论成绩的测试。但是用户在实际使用中可能根本无法获得这样的数字，随着文件越来越多，用户发现速度越来越慢，认为这就
奇妙的地址映射骗了你的眼球
上一次笔者为大家带来了英特尔320系列固态硬盘的评测，笔者曾在其中提到，文章中的大部分的测试项目都是在空盘的环境下完成的，可以说是出厂状态，最贴近理论成绩的测试。但是用户在实际使用中可能根本无法获得这样的数字，随着文件越来越多，用户发现速度越来越慢，认为这就是固态硬盘性能衰减的症状。那么你的固态硬盘性能到底跑哪去了呢？
“衰减”原因何在？
其实对于某些固态硬盘来说，这种所谓的“衰减”是正常的，因为空盘状态下测试的成绩并不是“真实成绩”。前面提到英特尔320固态硬盘的结构，其外置DRAM缓存（Cache）是用来保存映射表的，当固态硬盘为空盘时，Cache会直接返回FTL（Flash translation layer）闪存转换层映射的地址，并不会真正映射到对应的NAND闪存地址中，所以你可以认为此时测试的成绩是缓存成绩。一旦NAND闪存中存有数据，性能自然会下降，尤其是对随机读取性能影响很大。
这次笔者继续用320系列300GB固态硬盘，看看这个“衰减”的过程都有哪些体现！
在这之前，解答上一次测试中所留下的疑问，但是本次平台有一定改变，这次使用的是64位操作系统。关于OCZ Vertex 2 60GB的实际性能，通过全盘（快速）格式化之后所得到的硬盘成绩为45232，而英特尔320系列300GB的成绩为47608。
空盘下OCZ Vertex 2 60GB的得分为45232
空盘下英特尔320系列300GB的得分为47608
如果你怀疑为什么我的固态硬盘PCMark硬盘测试成绩比其他网站都偏高，那么我这里还要重申、更细致地描述一下测试平台和测试环境。酷睿i5-750超频至3.2GHz（事实证明CPU频率对这个项目的影响很小），开启AHCI模式，分辨率使用的是1024*768，并且用外挂硬盘的方式，在完全空盘的状态下进行的测试。后面的测试也证明，是否空盘对于PCMark的成绩影响是非常显著的。
弄脏SSD后应用性能大幅度缩减
先来回顾一下，使用HD Tune在空盘状态下的测试结果：
出厂状态测试——一个完美的直线
结果是一个非常非常完美的直线，英特尔的主控方案虽然不是最快的，但绝对是最稳定的！
然后笔者向这块容量为300GB的固态硬盘中拷贝大量的数据，包含几KB的零碎的文件，也包含超过8GB的大文件，并几乎写满整个硬盘，再次运行HD Tune测试。
写满整个硬盘——测试曲线波动非常大
此时NAND中已经布满了各种文件，不过遇到连续的稍大一些的文件，依然可以借助多通道的优势获得正常性能，但是小文件显然没有这样的待遇。总之，由于FTL把地址真正映射到了NAND闪存中，速度下降是必然的，并不能称之为“衰减”。
弄脏固态硬盘后PCMark Vantage硬盘测试得分骤减
再次运行PCMark Vantage测试，此时的硬盘得分下降到了25318分，比之前的47608下降了接近一倍。当然，不同使用环境所得出来的曲线是不一样的，随机存取测试更能说明问题。
弄脏SSD后IOPS性能损失近四倍
对比一下写满前后的随机存取性能，首先是HD Tune的测试：
空盘下HD Tune测试的4KB IOPS性能接近20K，平均速度76MB/s
空盘状态下，4KB随机读取性能达到19589 IOPS，平均速度高达76.521MB/s。
同样是空盘但是CDM检测出的性能只有20多MB/s
但实际上如果你看看CrystalDiskMark测试出来的成绩，基本上没有哪款固态硬盘在QD=1的情况下的4KB读取测试能够达到70MB/s。原因何在？很简单，CrystalDiskMark软件是先要在NAND中生成测试数据样本的，这样测试出来的成绩更加接近真实性能。
写入数据之后HD Tune测试的IOPS性能也降到了22MB/s
写满之后再次运行HD Tune的IOPS测试，此时4KB读取性能大幅度下降，只有5654 IOPS，平均速度也降低为22.089MB/s，和CrystalDiskMark的数据相仿，而这才是真正性能！
同样IOMeter的测试结果也受到影响
其实随机写的性能比随机读的性能受到的影响要小很多。使用IOMeter测试32位深度4KB随机写的性能，此时在30MB/s左右。
好了，为了恢复原有性能，固态硬盘现在都支持TRIM，那么在执行TRIM机制后，性能是否能恢复到原来的情况呢？
TRIM之后性能恢复十分明显
在此之前，再一次重申什么叫做TRIM机制：
TRIM是Windows7和Windows Server 2008 R2支持的一项功能，用于在固态硬盘中进行提前删除无效数据操作的一项机制。
我们在删除数据时，Windows会先标记被删除的扇区，并非真正删除，而在有新的数据将要写入该扇区时，才会将原来的数据抹掉。对于机械硬盘来说可以直接写入，但是对于固态硬盘来说必须先进行擦除操作，再将新的数据写入其中。长期如此写入数据之前总要进行擦除操作，性能自然逐渐下降。
如果主控芯片支持TRIM，在硬盘空闲状态下，就会提前执行擦除操作。因此在有新的数据写入时便不必再执行“先擦除”的动作。一般这项操作会在用户删除数据之后立即执行。
TRIM对性能恢复非常重要
可以说，TRIM功能对固态硬盘尤其重要，考察一款固态硬盘的TRIM功能是否起作用，可以通过简单的写入并删除来测试。如果删除后性能还原为空盘性能，那么说明TRIM起到了作用。
快速格式化之后立即进行HD Tune测试，曲线很怪异
好了，笔者现在直接进行全盘（快速）格式化，这种高级（快速）格式化操作也只是把硬盘中的所有数据标记为删除，实际上并没有删除，而等待TRIM执行擦除操作。笔者在格式化之后立即进行HD Tune测试，你可以看到这个曲线非常有意思。
实际上，在测试到150GB之前这段时间，主控在执行TRIM操作。可以说英特尔这点做的还是不错的，执行TRIM的时候我们依然可以以一个稳定的速度进行读取测试，而不像某些固态硬盘那样瞬间会吃掉所有的主控能力。在测试到150GB的时候，全盘TRIM执行完毕，此时我们看到的则是原始状态下最佳的性能。
再次进行测试就变成一条完美的直线了
此项测试完毕之后，再一次进行HDTune的读取测试，可以看到TRIM的执行效果，已经完全恢复到出厂状态了！
TRIM之后HDTune的4KB随机测试恢复到了出厂性能
执行HDTune的IOPS测试和32位深度下的IOMeter 4KB随机写入测试，现在的这块固态硬盘已经恢复到了出厂状态了！
也就是说，当固态硬盘在使用过程中，因为FTL映射的位置不同，所以产生了性能的下降，特别是随机读取性能。而当用户删除了数据，执行了TRIM，因此也可以尽量保证没有用到的空间性能不受影响。
不得不说的SandForce主控方案
说完英特尔的主控特点我们再来说说大名鼎鼎的SandForce，相信很多人对SandForce SF-1200主控印象深刻，尤其是标称的285MB/s读取速度和275MB/s写入速度，绝对可以秒杀一切原生SATA 3Gbps的固态硬盘。但是有机会如果你买了两块SandForce SF-1200主控的60GB的固态硬盘，并在两者之间对拷一个电影，你可以发现速度竟然连200MB/s都没有！！
道理很简单，SandForce有一套出色的数据压缩算法DuraWrite，这点笔者在此前OCZ Vertex2 60GB的测试中有过简述。简单来说，原来100MB的数据如果可以压缩到50MB，那么写入性能自然可以提高一倍，同样读取速度也可获得一样的成绩！这样的算法好处多多，实际往NAND中写入的数据少了，性能也快了，而对闪存造成的磨损也少了很多，大大增加了MLC的耐用性。
不过这种压缩算法在面对已经被压缩的数据时就无能为力了，比如图像、视频等多媒体文件或者一些容量很大的压缩文件，这时候我们所看到的速度就是NAND的真实速度！当然如果是系统应用，那么这种算法的优势还是很能体现的！
大家购买到的SandForce固态硬盘性能测试得到的是这样的数字
以OCZ Vertex2 60GB为例，通过CrystalDiskMark看看测试结果，默认的情况下其测试数据样本是随机的，非常难以压缩，你可以看到此时读取速度只有200MB/s，写入更是只有100MB/s。
其实厂商宣传的是在最好情况下的这个数字
如果换用0x00或者0xFF这样的数据样本，测试成绩就大幅度增长，这就接近标称数值了。
同样在使用一段时间之后，随着TRIM和垃圾回收机制都开始运作，此时固态硬盘的写入性能已被主控限制到了60MB/s！
总结：没必要排斥知道问题在哪就好
总之，这次的文章的目的就在于，以前我们抱怨固态硬盘性能衰减，那是因为没有TRIM和垃圾回收机制，这并非是闪存的损耗。而现在我们抱怨衰减，是因为厂商给的标称值水分很大，只有在真正开始使用的时候才能感觉到速度的不同。
当然并不是说我们不要购买这些有水分的产品，比如SandForce的DuraWrite技术确实对延长MLC寿命有显著的作用，而且在系统应用中也确实能从中获得性能提升，而英特尔320系列SSD的断电保护也十分重要。所以，只是说，我们知道固态硬盘的性能降在哪了就可以了。
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