地震无影响 尔必达30nm 4Gb移动内存

互联网 | 编辑: 孙伟 2011-04-09 05:30:00转载

尽管受地震影响出现停工现象,但日本存储芯片大厂尔必达的新品发布进程并未受到影响。今天,他们发布了针对智能手机、平板机的新款移动存储芯片产品,基于30nm工艺的DDR2 Mobile-RAM。

尽管受地震影响出现停工现象,但日本存储芯片大厂尔必达的新品发布进程并未受到影响。今天,他们发布了针对智能手机、平板机的新款移动存储芯片产品,基于30nm工艺的DDR2 Mobile-RAM。

新款Mobile-RAM单颗容量为4Gb(512MB),频率DDR2 1066MHz,电压1.2V。相比40nm 2Gb产品,新品30nm 4Gb颗粒的功耗下降了30%,占用PCB空间也随之下降。

 

新品4Gb 30nm DDR2 Mobile-RAM将使用PoP或FBGA封装,也可向客户提供裸版芯片用于MCP多芯片封装。MCP形式下可提供4Gb、8Gb、16Gb容量。预计该芯片本月内可出货样品,6月份投入量产。


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