会议上，韩国Hynix公司的DRAM产品计划和执行总监Sunny Khang主要从客户系统的DDR3和DDR3高密度服务器DIMM方面进行了介绍，海力士预计DDR3 1600将在2011和2012年成为主流，并在业界中引领这一过程。而到2012年主流频率将达到1866MHz，在2013年则为DDR3 2133，同时继续保持1.5V
（CBSi中国 PChome报道）英特尔信息技术峰会，2011英特尔信息技术峰会（Intel Developer Forum, IDF）于4月12日至13日在北京的中国国家会议中心举行。
会议上，韩国Hynix公司的DRAM产品计划和执行总监Sunny Khang主要从客户系统的DDR3和DDR3高密度服务器DIMM方面进行了介绍，海力士预计DDR3 1600将在2011和2012年成为主流，并在业界中引领这一过程。而到2012年主流频率将达到1866MHz，在2013年则为DDR3 2133，同时继续保持1.5V的电压。
目前，海力士的50nm级和40nm级内存颗粒已经成功通过了验证。当前海力士的2133MHz产品已经通过抽样。在未来，海力士将重点放在笔记本、平板以及服务器平台等云生态系统的构建方面。
Sunny Khang表示，对于SODIMM内存模组，从1.5V电压降低到1.35V，功耗会减少20%。
高密度方面，Sunny Khang主要介绍了海力士针对云生态系统的解决方案和产品，比如当前的高密度内存，16GB是势头最为强劲的，而32GB是当前密度最高的内存。海力士现在已经推出了基于4Gb内存的16GB RDIMM和32GB LRDIMM内存模组。
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