IDF2011:三星全线3xnm芯片引领业界

PChome | 编辑: 孙伟 2011-04-12 20:10:00原创

(CBSi中国 PChome报道)英特尔信息技术峰会,2011英特尔信息技术峰会(Intel Developer Forum, IDF)于4月12日至13日在北京的中国国家会议中心举行。

会议上,作为全球最大的DRAM和NAND芯片制造商三星展示出了全线的存储产品,并主打绿色!包括全新发布的Green DDR3内存、Green SSD固态硬盘、Green GDDR5显存以及Green LPDDR2产品。

当然,作为业界第一家迈入30nm级制程的公司,本次会议上也是凸显出了它与当前业界主流的40nm级工艺在功耗方面的优势。

35nm 4Gb LPDDR2内存芯片,包含4Gb和8Gb两种,主要用于嵌入式设备如智能手机、录像机以及平板电脑。借助30nm级的优势,相比46nm的2Gb LPDDR2 1.2V每年可节省17%的功耗。

256GB的SSD产品,相比7200RPM硬盘可以节省70~80%的功耗,同时性能大幅度提升。

35nm采用4Gb DDR3颗粒的内存产品,涵盖4GB、8GB台式机内存到32GB的高密度内存,35nm相比68nm DDR2 1.8V内存一年可以节省86%的功耗。

46nm的2Gb GDDR5显存,三星也是DRAM显存市场的领袖,这种显存相比56nm和68nm的GDDR3显存可以节省19%~46%的功耗!

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