三星在本次会议上继续讲解了其最新发布的Green DDR3内存，采用业界领先的40nm级工艺技术。当然三星当前早已步入35nm制程工艺。并将于2012年之前步入20nm级制程，在2013年将进一步将1.35V降低至1.25V同时进一步提升密度。而存储容量还将维持在4Gb。
（CBSi中国 PChome报道）英特尔信息技术峰会，2011英特尔信息技术峰会（Intel Developer Forum, IDF）于4月12日至13日在北京的中国国家会议中心举行。
三星在本次会议上继续讲解了其最新发布的Green DDR3内存，采用业界领先的40nm级工艺技术。当然三星当前早已步入35nm制程工艺。并将于2012年之前步入20nm级制程，在2013年将进一步将1.35V降低至1.25V同时进一步提升密度。而存储容量还将维持在4Gb。
当然，当前的主流趋势还是1.35V的4Gb 35nm DDR3芯片，符合DDR3L规范，应该说是目前业界最领先的内存芯片了。
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