海力士在本次会议上重点展示出了自己的最新产品，基于最新40nm级制程工艺，包括8GB DDR3 1600内存、2GB DDR4 2400 1.2V内存以及2.5英寸SSD产品。
（CBSi中国 PChome报道）英特尔信息技术峰会，2011英特尔信息技术峰会（Intel Developer Forum, IDF）于4月12日至13日在北京的中国国家会议中心举行。
海力士在本次会议上重点展示出了自己的最新产品，基于最新40nm级制程工艺，包括8GB DDR3 1600内存、2GB DDR4 2400 1.2V内存以及2.5英寸SSD产品。
注意左上角8GB DDR3 1600内存和右上角的最新DDR4内存，借助更新的工艺，在高频率下也可以保持一个较低的电压水平。当然DDR4内存标准还在制定中。
针对显卡应用的GDDR5和GDDR3显存芯片。
8GB DDR3 1600MHz 内存，默认电压1.5V，产品编号MHT41GU5MFR8C。
海力士依然展示了较老的DDR2、DDR以及SDR内存芯片，尽管产量在减少，但是仍有小部分需求。
NAND方面海力士展示了SLC、MLC、eNAND以及MicroSD产品。当然SSD也正式亮相。
海力士2.5英寸的2.5英寸SSD产品，采用SATA 3Gbps接口，还不清楚采用了哪一家的主控方案。
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