Intel与镁光公司宣布正式推出其20nm制程NAND闪存芯片产品，再一次站在了NAND闪存制造技术的最前沿。这款产品将由两家公司的合资公司IMFT进行生产。新的20nm制程将用于生产8GB容量的MLC NAND闪存设备。
Intel与镁光公司宣布正式推出其20nm制程NAND闪存芯片产品，再一次站在了NAND闪存制造技术的最前沿。这款产品将由两家公司的合资公司IMFT进行生产。新的20nm制程将用于生产8GB容量的MLC NAND闪存设备。
此前，东芝与SanDisk组成的联盟占据着NAND闪存制造技术的领先地位。两家公司同样成立了一家合资企业，目前这家企业已经推出了24nm制程的NAND产品，正在增加这款产品的产能。而Hynix半导体与三星电子两家韩国企业则也已经先后推出了2xnm级别制程的NAND闪存芯片产品。
IMFT推出的这款20nm制程8GB NAND闪存芯片的芯片面积仅为118平方毫米，宽度方向尺寸相比前代的25nm 8GB NAND产品缩小了30-40%（实际缩小的尺寸依赖于芯片所采用的封装形式）。另外，新20nm制程NAND闪存芯片产品在性能与耐久性方面则与前代25nm产品基本持平。
据透露，这款20nm 8GB容量NAND闪存芯片目前还在试样阶段，预计今年下半年可投入量产，届时IMFT还将推出同样采用20nm制程技术的16GB容量的闪存芯片样品，并最终将这种芯片的容量提升到128GB。
下面是关于IMFT的20nm NAND闪存的一些详尽信息：
耐久性方面：
耐久性方面，闪存的耐久性是以能够经受写入/擦除操作的周期数来衡量的。早期的NAND闪存产品的耐久性一般在10万次。超过这个周期数，闪存芯片的存储单元就有可能出现损坏。后来，为了降低闪存的制造成本，厂商们开始使用50nm级别制程的MLC NAND闪存芯片，这类芯片一般都配备了4bit纠错功能，耐久性则一般在1万次左右。
发展到最近，30nm级别制程的MLC NAND闪存芯片产品则一般配备了8bit纠错功能，但耐久性则进一步降低到5000次左右。
而IMFT这次推出的20nm制程MLC NAND闪存芯片的耐久性则处于5000次的水平。
新NAND芯片的产地：
据镁光公司确认，IMFT设在犹他州Lehi地区的300mm芯片厂，是新推出的20nm制程MLC NAND闪存芯片前期的主要产地。这间工厂是IMFT旗下目前制造工艺最先进的工厂，目前还负责制造25nm制程的NAND闪存芯片产品，其生产的产品则供给镁光和Intel使用。
另外，IMFT公司也已经开始在其设在新加坡的新300mm工厂内开始投产NAND闪存芯片产品，但其投产的产品是25nm制程的产品，并没有生产20nm制程产品。下周，这间设在新加坡的300mm芯片厂将举行正式开工仪式。尽管此前有传言称Intel似乎不准备对这间工厂进行投资，但此次双方并没有就此消息进行澄清，仅称双方的合作关系“依然十分紧密”。
新NAND芯片的制造方法猜测：
按照目前的技术水平来看，理论上说，193nm波长液浸式光刻工艺所能达到的量产极限是在20nm左右.据外界猜测，目前包括IMFT在内的各家NAND闪存芯片厂商在生产25nm制程的NAND闪存芯片产品时，采用的可能都是193nm液浸式光刻+自对准型双重成像技术（SADP）（双重成像技术的另外一种主要工艺是LELE工艺），另外，外界还普遍认为IMFT公司所使用的液浸式光刻机则是产自荷兰ASML公司的产品。
不过Intel和镁光则拒绝透露其20nm NAND闪存芯片产品所采用的制程技术细节，仅表示这款芯片产品仍使用现有的生产设备进行生产制造。
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