美国马萨诸塞州, 在硅基集成光通信元件领域中居领先地位的SiFotonics Technologies Co., Ltd.，又成功开发出世界上第一款基于CMOS技术、应用于光通信的10Gbps单片光接收器集成芯片。
美国马萨诸塞州, 在硅基集成光通信元件领域中居领先地位的SiFotonics Technologies Co., Ltd.，又成功开发出世界上第一款基于CMOS技术、应用于光通信的10Gbps单片光接收器集成芯片。SiFotonics致力于10G单片集成芯片的开发，成功研发的TP1501将锗的光电探测器（PD）和跨阻放大器（TIA）集成于单一芯片，把业界带入到一个新的运用领域。
“我们非常高兴的宣布，我们利用在跨阻放大器，锗/硅光电探测器和先进制程上的领先核心技术，实现了世界上第一款基于CMOS技术的10G单片集成芯片TP1501”，SiFotonics CEO潘栋博士谈到，“基于此TP1501将光电集成在单芯片上的成功实现，我们可更进一步将周边系统的逻辑集成在下一代产品中。”
TP1501集成光接收器能够覆盖3个关键波长： 850nm，1310nm和1550nm。测量数据表明1310nm波长的灵敏度和商用的III-V解决方案相当。目前器件正采用ROSA（光接收子系统）深入评估并进行可靠性测试中。
TP1501单片集成光接收器可以解决传统的分立式光电探测器（PD）、跨阻放大器（TIA）方案存在的关键问题：
•消除了光电探测器（PD）到跨阻放大器（TIA）键合引线，因此可以避免在高频下键合引线引起的问题。除此以外，封装需要的人力和成本也大大降低。由于简化了ROSA封装工艺，因此可以降低封装的工艺差异性并改善良率。
•避免了封装前光电探测器（PD）和跨阻放大器（TIA）需要的单独测试，因此可以降低测试的复杂度和成本。
•无需对跨阻放大器（TIA）和PIN进行匹配，因此缩短了产品研发和最终推向市场的时间。
10G通讯运用在下一代通讯产品中正在迅速发展。以TP1501为代表的创新集成器件提供了更有效控制成本的方案，我们期待TP1501将成为光收发器的关键元件并被广泛应用到数据中心通讯和存储网络的光通道中。此外，TP1501还能将光通讯技术应用到对成本敏感的个人计算机和消费电子市场中。
关于SiFotonics Technologies Co., Ltd.
SiFotonics Technologies Co., Ltd.由私募基金投资，是一家专注于硅基光电元件、集成电路和集成光电产品的半导体设计公司。公司创立于2007年，总部设在美国马萨诸塞州的首府波士顿。在波士顿总部之外，SiFotonics同时在中国北京和上海分别建立了研发中心。并同全球一流的半导体晶圆代工厂建立了战略合作伙伴关系。
SiFotonics Technologies Co., Ltd.设计和制造新型硅基光电集成电路和分立器件，诸如2.5Gb/s~10Gb/s 锗/硅PIN型光电探测器，雪崩光电二极管，40Gb/s 硅波导光电调制器/光电探测器，2.5Gb/s~10Gb/s 跨阻放大器，和用于光收发模块的集成光电芯片等。
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