英特尔镁光新加坡合资NAND厂开业投产

互联网 | 编辑: 孙伟 2011-04-22 05:40:00转载

Intel与镁光的闪存合资企业IMFT在新加坡的新闪存工厂近日举办了正式开业仪式。这间工厂耗资近30亿美元,员工人数有望达到1200人。这间工厂从去年中期开始已经在生产25nm制程NAND闪存芯片产品,目前正在提升该产品的产量,周四开始投产。

Intel与镁光的闪存合资企业IMFT在新加坡的新闪存工厂近日举办了正式开业仪式。这间工厂耗资近30亿美元,员工人数有望达到1200人。这间工厂从去年中期开始已经在生产25nm制程NAND闪存芯片产品,目前正在提升该产品的产量,周四开始投产。

除了新开张的新加坡工厂之外,IMFT名下还有另外两间由两家公司合资经营的芯片厂,分别位于美国犹他州的Lehi与弗吉尼亚州的Manassas。其中前者是IMFT旗下制程技术最先进的芯片厂。

之前由于爆发全球性金融危机,加上内存产品价格低迷,英特尔和镁光刚开始就推迟了兴建这座工厂的计划,不过双方于2010年又把这项计划重新提上日程。双方表示,由于进展顺利,工厂提前完工。

英特尔非易失性存储解决方案集团副总裁托马斯·兰波尼(Thomas Rampone)称这座工厂刚开始每月可生产数千块晶片,明后两年每月可生产2.5万块晶圆。每块晶圆包含有许多闪存芯片。

目前,镁光和英特尔在美国拥有2家合资厂。随着市场对芯片产品需求的不断扩大,双方再度联手新建了这座工厂,面向移动设备制造商销售产品。

英特尔和镁光表示,工厂刚开始将采用25纳米生产流程,年底前将采用20纳米生产流程。英特尔和镁光之所以选择在新加坡建厂,主要是为了吸引更多人才,接近供应链。


 

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