16合1 三星芯片堆叠新方案采用新技术

互联网 | 编辑: 2006-11-02 10:55:00编译

今年四月份,三星电子宣布一项芯片3D封装技术,那时候,三星的WSP最多可以使8个芯片上下堆叠。而现在三星又在芯片堆叠上做出了突破,可以将16个存储芯片堆叠在一起。为了达到这个目的,他们采用了新的晶圆减薄和芯片切割技术。

今年四月份,三星电子宣布一项芯片3D封装技术,那时候,三星的WSP最多可以使8个芯片上下堆叠。而现在三星又在芯片堆叠上做出了突破,可以将16个存储芯片堆叠在一起。为了达到这个目的,他们采用了新的晶圆减薄和芯片切割技术。

     在这个16合1的处理过程中,三星使用的新的晶圆减薄技术,能将晶圆厚度减少到4%,经过处理的晶圆总厚度仅有30微米左右。同三星05年发布的10芯片封装包晶圆相比,厚度仅为65%,接近人类的一个细胞的厚度(20-30微米)。

     在芯片切割方面,三星也采用了新的激光切割技术,这项技术能防止通常方法中容易出现的芯片碎裂情况,这项技术最初设计用来切割80微米级的晶圆。

     成品以Z字形方式堆叠,粘合剂的厚度也被减小到20微米,所以整个16-die芯片保厚度仅为1.44毫米。新的堆叠工艺可以使单个多芯片封装的容量达到16GB,三星称这是芯片发展史上的最高密度。

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