近日奇梦达推出一款，183MHz双数据速率同步移动RAM DDR366，该内存用60球FBGA封装，存储容量为512Mb, 工作电压为1.8V，符合JEDEC DDR标准，满足了具有多种应用的消费类手持终端不断增长需求。
近日奇梦达推出一款，183MHz双数据速率同步移动RAM DDR366，该内存用60球FBGA封装，存储容量为512Mb, 工作电压为1.8V，符合JEDEC DDR标准，满足了具有多种应用的消费类手持终端不断增长需求。DDR366的数据传输速率为366Mb/s，比标准DDR266 DRAM快30%。在系统设计不改变的前提下，该性能记录是采用常规BGA封装方式实现的。 DDR366不但具备电池供电设备所需的超低功耗，而且采用了适用于板卡空限受限产品的极其紧凑的芯片级封装。基于节电型沟道技术以及电源管理特性，如TCSR（温度补偿自刷新）、PASR（部分阵列自刷新）、OTCS（片上温度传感器）和DPD（深度省电）模式，DDR366实现了工作电流最小化，从而延长了电池工作时间。
DDR366规格的推出，肯定会对DDR266 DRAM造成冲击，毕竟DDR366在性能上要高出不少。它将满足具有多种应用的消费类手持终端。
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