三星电子今天宣布，已经成功研发出全球第一款采用单芯片设计的4Gb LPDDR3内存芯片，其中的LP字样即代表低功耗(Low Power)。三星这种新型4Gb LPDDR3 DRAM内存芯片采用3xnm工艺制造，最高频率可达1600MHz，比目前业内最快的上一代LPDDR2-1066快了大约1.5倍，而且通过使用新工艺
三星电子上周宣布，已经成功研发出全球第一款采用单芯片设计的4Gb LPDDR3内存芯片，其中的LP字样即代表低功耗(Low Power)。三星这种新型4Gb LPDDR3 DRAM内存芯片采用3xnm工艺制造，最高频率可达1600MHz，比目前业内最快的上一代LPDDR2-1066快了大约1.5倍，而且通过使用新工艺、新材料，电气功耗反而降低了20％。
通过将两颗芯片堆叠封装在一起，三星还造出了单颗容量1GB的LPDDR3内存芯片，传输带宽最高12.8GB/s。
三星表示，这种低功耗大容量内存非常适合智能手机、平板机等移动设备，将为更快的处理器、更高分辨率的显示屏、更强大的3D图形性能提供支持。
三星将从今年第四季度开始向各大移动设备供应商提供4Gb LPDDR3芯片，预计明年就会出现在下一代智能手机和平板机中，估计到时候2GB内存将成为标准配置。
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