30nm+低电压 三星黑武士矮版内存来了

互联网 | 编辑: 孙伟 2011-11-22 05:28:00转载

近几个月以来三星采用30nm制程工艺的金条在DIY超频玩家群体中有着不错的口碑,体质稍好的“神条”很轻松就能从默认的DDR3-1333超至DDR3-2133。

近几个月以来三星采用30nm制程工艺的金条在DIY超频玩家群体中有着不错的口碑,体质稍好的“神条”很轻松就能从默认的DDR3-1333超至DDR3-2133。

上周三星采用30nm工艺制造的这一系列最新产品正式在日本市场现身,型号为Samsung MV-3V2G3与MV-3V4G3,单条容量依型号自然是2GB与4GB。新的两种30nm工艺内存使用黑色矮版PCB,属于节能内存“黑武士”系列。工作电压默认为1.35V,符合DDR3L标准。默认频率即为DDR3-1600,时序CL=11-11-11-28

三星“黑武士”30nm工艺版2GB&4GB DDR3-1600目前的含税售价为1480/2780日元,约合人民币120/230元。其中的2GB版本已经进驻国内B2C商城,报价在89元左右;4GB版本淘宝报价180-200元不等。

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