收到相关消息称：AMD日前第二代Z-RAM技术，它的全称是zero capacitor RAM，它是一种基于silicon-on-insulator的无电容嵌入存储技术，通过它可以达到非常高密度的处理器cache。
收到相关消息称：AMD日前第二代Z-RAM技术，它的全称是zero capacitor RAM，它是一种基于silicon-on-insulator的无电容嵌入存储技术，通过它可以达到非常高密度的处理器cache。资料显示第二代Z-RAM技术预计可以实现每平方毫米5Mb (625KB)的容量，通过这个技术一个65nm处理器在16mm²理论上可以实现10MB的cache，这比Intel的65nm Intel Core 2 Duo芯片需要占用143mm²，而容量只有4MB的水平显然要优秀很多了，
而且这个技术在功耗方面也有非常大的优势，第二代Z-RAM频率可以上到400MHz，同时可以达到每MHz 10μW (0.00001W)的水平，这将为AMD未来的CPU技术提供很好的条件。
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