第三代处理器将发布 畅销SNB本盘点

互联网 | 编辑: 徐可超 2012-04-18 00:15:13原创 一键看全文

在2010年代号为 Sandy Bridge的核心改变了我们对处理器的认知,核心中图形处理器与内存控制器位于独立的核心,自此之后处理器拥有了图形处理性能。第三代智能处理器IVY Bridge即将推出,

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在2010年代号为 Sandy Bridge的核心改变了我们对处理器的认知,核心中图形处理器与内存控制器位于独立的核心,自此之后处理器拥有了图形处理性能。第三代智能处理器IVY Bridge即将推出,将采用革命性的3D晶体管技术(3-D Tri-Gate),将为用户提供前所未有的高性能。这也是我们今天给大家解读的重点——英特尔3-D晶体管技术,之后我们还将给大家推荐几款近期热销SNB平台的笔记本供选购。

第一个3-D三维晶体管:“Tri-Gate”

2011年5月6日世界上第一个3-D三维晶体管“Tri-Gate”。晶体管是现代电子学的基石,而Intel此举堪称晶体管历史上最伟大的里程碑式发明,甚至可以说是“重新发明了晶体管”。半个多世纪以来,晶体管一直都在使用2-D平面结构,现在终于迈入了3-D三维立体时代。从第一个3-D三维晶体管“Tri-Gate”的诞生到产品成熟只用了不到一年的时间,下面我们来看看3-D晶体管到底如何3D。

3-D晶体管:平面栅极从硅基底上站起来

3-D Tri-Gate使用一个薄得不可思议的三维硅鳍片取代了传统二维晶体管上的平面栅极,形象地说就是从硅基底上站了起来。硅鳍片的三个面都安排了一个栅极,其中两侧各一个、顶面一个,用于辅助电流控制,而2-D二维晶体管只在顶部有一个。由于这些硅鳍片都是垂直的,晶体管可以更加紧密地靠在一起,从而大大提高晶体管密度。

如果大家看上面的解释过于复杂,那么可以看看下面的图示,简单的来说就是平面栅极从硅基底上站起来,三面都安排了一个栅极,晶体管排列更加紧密,提高晶体密度从而提升性能。

3-D晶体管性能提升30%-50%

在前两日的IDF2012上,英特尔公司全球执行副总裁英特尔中国区董事长马宏升,在现场他讲到:英特尔22nm三栅晶体管的推出,保持低电压功耗降低性能不变的情况下,处理器性能将提升30%—50%。 

前面说了那么多,不过毕竟第三代智能处理器还没有到来,在产品更新换代的“节骨眼”上,也是入手Sandy Bridge老平台的最佳时机。下面给大家推荐几款老平台笔记本供选购。


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