伦敦大学的研究人员表示他们已经研发出了完全基于氧化硅的电阻RAM芯片,即ReRAM。这种芯片有望用于未来的超快内存上。
这种芯片的特性在于,在加电压的情况下可以改变电阻以使他们不需要供电来保存数据,同时他们的功耗和体积也会更少,也可以拥有更大的存储空间。相比目前的闪存芯片来说,ReRAM内存芯片能耗只有千分之一,速度却能快上百倍。ReRAM的另一大好处在于其工作无需真空环境,所以会更加便宜。
伦敦大学的研究人员表示他们已经研发出了完全基于氧化硅的电阻RAM芯片,即ReRAM。这种芯片有望用于未来的超快内存上。
这种芯片的特性在于,在加电压的情况下可以改变电阻以使他们不需要供电来保存数据,同时他们的功耗和体积也会更少,也可以拥有更大的存储空间。相比目前的闪存芯片来说,ReRAM内存芯片能耗只有千分之一,速度却能快上百倍。ReRAM的另一大好处在于其工作无需真空环境,所以会更加便宜。
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