日前，三星电子发布，其全球首家批量生产20纳米级（1纳米=10亿分之一米）工艺的4Gb LPDDR2（Low Power Double Data Rate 2）DRAM，旨在全面扩大其4Gb DRAM市场。
日前，三星电子发布，其全球首家批量生产20纳米级（1纳米=10亿分之一米）工艺的4Gb LPDDR2（Low Power Double Data Rate 2）DRAM，旨在全面扩大其4Gb DRAM市场。
据统计，最近搭载四核CPU智能手机和大屏幕平板电脑等高性能移动产品逐渐主导移动产品市场。因此，消费者对反应速度更加迅速，电池更耐用、低耗电，大容量储存产品的需求也越来越多。
三星电子为满足消费者的需求，继2012年3月开始批量生产20纳米级8GB DDR3笔记本电脑模块， 4月又开始批量生产20纳米级4Gb LPDDR2 DRAM，从而成了拥有业界最大高端4Gb DRAM生产线的厂商。
20nmclass 4Gb LPDDR2
据了解，20纳米级4Gb DRAM产品群，不仅能够提供全球最为“超薄”、“大容量”、“高性能”的手机解决方案，而且其最小的芯片尺寸，可实现超薄设计。因此，该产品成为了创新企业及手机生产厂商推出的下一代系统时确保其优势的核心要素。新一代20纳米级4Gb移动DRAM四颗粒堆叠封装组成的16Gb（2GB）产品相比30纳米4Gb DRAM四颗粒堆叠封装产品，其厚度更薄了20%，最高速度可达1,066Mbps，并保持相同的电耗。因此，该产品的推出将加快4Gb存储市场的发展。
三星电子2011年3月开始批量生产了30纳米级4Gb LPDDR2存储器，使得手机存储器的容量扩大到2GB。此次业界首家批量生产最小尺寸20纳米级4Gb LPDDR2，并为下一代超薄移动设备提供超薄型0.8mm 2GB LPDDR2。此举意味着三星电子不仅能够确保在30纳米级移动存储以及20纳米级移动存储领域的竞争优势，而且将继续引领移动存储市场的领先地位。
三星电子存储器事业部战略营销部洪完勋副社长表示，“2011年三星电子凭借业界首家批量生产30纳米级4Gb DRAM，扩大了4Gb DRAM市场份额。2012年，则通过20纳米级4Gb的批量生产，有望实现进一步差异化高端存储器市场目标。2012年下半年，将继续加大20纳米级DRAM的比重, 逐渐把4Gb DRAM提升为主力产品，从而抢占高端市场，进而加强竞争优势。
据市场调查机构IHS iSuppli的预测，从2011年开始4Gb DRAM市场总量的比重逐步扩大，2012年将占到13%, 2013年为49%，直到2014年其生产比重将扩大到63%，成为主力产品。
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