三星电子今日表示已成功试产针对服务器市场的RDIMM单条16GB DDR4内存样片,属于高密度内存模组,主要面向OEM以及合作伙伴,预计将于明年实现大规模量产。
此次亮相的产品采用30纳米级制程,包含单根8GB和16GB两种容量。未来制程进化到20纳米级时,单条容量还可以扩充至32GB。
DDR4内存将拥有两倍于DDR3的带宽,明年就可以达到3200Mbit/s。工作电压也将下降至1.2V,可带来更高的能效指标。
三星单条16GB DDR4内存
三星电子今日表示已成功试产针对服务器市场的RDIMM单条16GB DDR4内存样片,属于高密度内存模组,主要面向OEM以及合作伙伴,预计将于明年实现大规模量产。
此次亮相的产品采用30纳米级制程,包含单根8GB和16GB两种容量。未来制程进化到20纳米级时,单条容量还可以扩充至32GB。
DDR4内存将拥有两倍于DDR3的带宽,明年就可以达到3200Mbit/s。工作电压也将下降至1.2V,可带来更高的能效指标。
三星单条16GB DDR4内存
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