据业内消息人士透露，三星与海力士两家DRAM芯片厂商都已表示将加快向20nm制造工艺的产能转移速度。
预计到2013年时，采用20nm工艺制造的DRAM芯片将会成为这俩家厂商的主要产品，同时市场中的30nm工艺DRAM芯片将逐渐退居二线。
另外，消息还称未来三星和海力士会把业务重点从目前已经供大于求的PC DRAM市场转移至更具发展潜力的移动设备及服务器市场，并且将率先为后者推出容量为4GB的20nm工艺DRAM芯片产品。
与此同时，美光科技、南亚科技以及华亚科技也表示会在完成向30nm工艺过渡的同时，进一步加大在移动DRAM和服务器内存芯片市场中的投入力度。
其中，台湾华亚科技预计能够在2013年中期完成向30nm工艺的过渡，届时其将具有月产40000块12英寸晶圆的能力。
三星DRAM内存芯片
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