SanDisk宣布,将在本月与东芝联合发布56nm工艺、多层式储存(MLC)规格NAND闪存芯片。
SanDisk宣布,将在本月与东芝联合发布56nm工艺、多层式储存(MLC)规格NAND闪存芯片。
这批56nm工艺NAND闪存芯片是在300mm晶圆厂Fab 3生产的。该工厂位于日本名古屋附近的四日市,由SanDisk和东芝在2005年合资兴建。到今年底,SanDisk和东芝合资的Flash Alliance Ltd.公司将开始建设新的300mm晶圆厂Fab 4,建成后也将投入56nm NAND闪存的生产。
其实,SanDisk和东芝最初的计划是进步到52nm工艺,只是因为技术的复杂性而改用了56nm。
在经过少量的工程样品后,SanDisk将在未来几周内推出8Gb容量的56nm NAND闪存芯片,并在本季度末开始批量出货,下季度将容量翻番提升到16Gb,成为业界存储密度最高的单芯片MLC NAND闪存。
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