存储密度超大　新一代分子内存诞生了

互联网 | 编辑: 2007-01-30 00:00:00转载

美国UCLA和加州理工学院的科学家开发出一种具有超大存储密度的分子内存产品。

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美国UCLA和加州理工学院的科学家开发出一种具有超大存储密度的分子内存产品。

目前完成的分子内存已经达到了100Gb/平方厘米的存储密度，不过总存储容量只有20KB，只能存放美国的独立宣言文本。

分子内存中使用了相当多的垂直、交叉纳米管线，有400个硅制导线和400个钛制导线，每根导线都只有16nm宽。当然，这样的分子内存想要投入实际使用还需要很长时间，还有一系列问题等待解决。

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