(CBSi中国 PChome报道）2013英特尔信息技术峰会（Intel Developer Forum, IDF）于4月10日至11日在北京，中国国家会议中心举行,本站记者将在现场为您带来全方位的报道，敬请关注：http://idf.pchome.net
在本次峰会的赞助商课程中，SK Hynix预计在2014年LPDDR4移动型DRAM内存将正式面世，这意味着使用LPDDR4的移动设备也将在2014年等待，不过到2015年占据市场主流的依然是LPDDR3，而到2016年，再下一代的Wide IO型移动DRAM将开始应用。
LPDDR发展预测
当前，诸如三星Galaxy S4等新款智能手机使用的均为LPDDR3内存，而在今年将有望过渡到1600MHz的频率，带宽将达到12.8GB/s，不过今年的移动设备仍将以LPDDR2占据主流地位。而在2014年LPDDR3的渗透率将会超过LPDDR2，频率也将进一步提升至2133MHz，带宽将达到17GB/s。
LPDDR4将拥有更高频率
LPDDR4作为下一代的移动型DRAM内存，其工作电压将从LPDDR2和LPDDR3的1.2V降低至1.1V。容量将包含从8Gb到32Gb的版本，起步频率就将达到2666MHz，最高将达到4266MHz。LPDDR4将有着和LPDDR3类似的接口并支持双通道。
Wide IOx 与LPDDR4特点比较
至于再下一代的Wide IO型内存，短时间内将与LPDDR4共存，虽然前者将拥有更高的性能，但是功耗和成本也将高于后者。其中，Wide IO 2的带宽可以达到非常高，最高有望达到68GB/s。
Wide IO2将拥有更高带宽
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