Intel 明年启用35nm工艺生产NAND闪存

互联网 | 编辑: 2007-02-15 00:00:00转载

路透社报道,Intel将从明年即2008年开始启用35nm工艺生产NAND闪存芯片。

路透社报道,Intel将从明年即2008年开始启用35nm工艺生产NAND闪存芯片。

按照Intel计划,首批35nm NAND闪存,将在Intel和Micron合资的新加坡工厂当中生产。Intel 35nm NAND闪存芯片,除了供应闪存组装厂商之外,还将用在Intel自己08年问世的Santa Rosa新一代移动平台上,以增强Robson硬盘启动速度。

Intel目前采用72nm工艺生产NAND闪存芯片,但是基于竞争激烈的关系,Intel希望在年内启动50nm工艺,以进一步降低NAND闪存芯片生产成本。

分析师认为,2008年投产的35nm工艺将帮助Intel在NAND闪存芯片的每个单元内存储更多的数据,在提升单晶圆切割芯片数量同时,提升NAND闪存芯片的容量。

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