更新的技术，更新的架构
酷睿i5一直是DIY市场的宠儿，尤其是在千元以上的中高端市场上更是一枝独秀。相信这和酷睿i5强劲的性能表现以及适中的价格又很大的关系。恰逢国庆黄金周攒机高峰，广大DIY用户对于装机的需求被提升到一个全新的高度，今天我们就从酷睿i5出手，为大家解析符合搭配一套性能强劲的酷睿i5电脑。不过在此之前，我们应当先了解新一代酷睿i5究竟带来哪些改变。
核心架构技术先进
第四代智能英特尔酷睿处理器的发布具有里程碑式的意义，英特尔独有的22纳米3D晶体管技术在这代产品上将会变得更加成熟与完善。22nm制程与3D晶体管是Ivy Bridge架构处理器的两个最大的技术特性，接下来我们将针对这两项核心技术进行解读。
第四代智能英特尔酷睿处理器
研发代号为“Haswell”的第四代智能英特尔酷睿处理器依然采用了22纳米制程工艺与3D晶体管技术，按照英特尔“Tick-Tock”芯片技术发展的战略模式，Haswell并没有对制程工艺进行升级，而是将22纳米制程推向了一个更为成熟的高度。也就是说，Haswell将作为英特尔22纳米制程的最终形态而存在。
第四代智能酷睿核心架构分布
全新22nm制程工艺可以在大量增加晶体管的同时有效得控制芯片的体积，同时在低电压下可将性能提高37%。一个句号上就可以容纳超过600万个22纳米晶体管，是不是很惊人呢？更重要的是采用了革命性的3-D三栅极晶体管技术，从而使得处理器晶体管数量达到十四亿！
22纳米3D晶体管技术
3D晶体管技术代表了晶体管技术本质上的转变，晶体管通道增加到第三维度，电流是从通道的三面来控制的，而不像传统平面晶体管，只从顶部控制。就像摩天大楼通过向天空发展而使得最大限度地利用城市空间，3D晶体管技术同样提供了一种提高晶体管密度的创新方法。
3D晶体管技术能更好的控制晶体管的开关、最大程度有效利用晶体管开启状态时的电流（实现最佳性能），并在关闭状态时最大程度减少电流（降低漏电）。与之前的平面晶体管相比，22纳米的3-D三栅极晶体管将提供前所未有的高性能和能效，在低电压下将性能提高了37%，并且只需要消耗不到一半的电量，就能达到与32纳米芯片中二维平面晶体管一样的性能
图片说明
除此之外，第四代智能英特尔酷睿处理器另外一项最为重大的改变就是配备了性能近乎翻倍的新一代核芯显卡。新一代核芯显卡更名为“锐炬”，除了在性能上较之上代产品有近乎翻倍的大幅度升级之外，还提供了4K视频解码，多屏幕输出等能力，令人眼前一亮。
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